用於 MEMS、半導體和光學應用的 SiO₂ 石英晶片 2″ 3″ 4″ 6″ 8″ 12″

SiO₂ 石英晶圓是超高純度基板,廣泛應用於半導體加工、MEMS 製造、RF 裝置和光學系統。這些晶圓的標準直徑從 2″ 到 12″,專為需要高熱穩定性、光學透明度和耐化學性質的應用而設計。石英晶圓由高純度熔融石英製成,呈現均勻的非晶態結構,可確保沒有內部晶界的一致性能。.

SiO₂ 石英晶圓是超高純度基板,廣泛應用於半導體加工、MEMS 製造、RF 裝置和光學系統。這些晶圓的標準直徑從 2″ 到 12″,專為需要高熱穩定性、光學透明度和耐化學性的應用而設計。.

石英晶圓由高純度熔融石英製成,呈現均勻的非晶態結構,確保性能穩定,無內部晶粒邊界。結合精密拋光和嚴格的厚度控制,它們可為先進製程提供優異的表面品質。.


主要功能

  • 超高纯度 (≥99.99% SiO₂),适用于污染敏感型环境
  • 寬廣的操作溫度範圍 (穩定高達 >1100°C)
  • 從紫外線到近紅外線的高光學穿透率
  • 熱膨脹係數低,尺寸穩定
  • 對酸、鹼和溶劑具有優異的耐化學性
  • 超平滑表面光潔度 (Ra ≤ 1 nm) 適用於精密光學與 MEMS

材料特性

 

石英晶片基於 無定型熔融SiO₂, ,提供:

  • 各向同性結構與一致的光學行為
  • 無晶體材料常見的雙折射效應
  • 高抗熱震及等離子體曝露能力
  • 低放氣性,適用於真空環境

與傳統玻璃相比,石英晶圓具有更高的純度、更好的耐熱性和更寬的光學透射率,因此成為半導體和光電產業的首選材料。.


規格

規格 單位 4″ 6″ 8″ 10″ 12″
直徑/尺寸 毫米 100 150 200 250 300
公差 (±) 毫米 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
厚度 毫米 ≥0.10 ≥0.30 ≥0.40 ≥0.50 ≥0.50
主要參考平面 毫米 32.5 57.5 半缺口 半缺口 半缺口
LTV (5×5 mm) μm <0.5 <0.5 <0.5 <0.5 <0.5
TTV μm <2 <3 <3 <5 <5
弓形 μm ±20 ±30 ±40 ±40 ±40
翹曲 μm ≤30 ≤40 ≤50 ≤50 ≤50
PLTV (5×5 mm) % ≥95 ≥95 ≥95 ≥95 ≥95
邊緣圓角 毫米 符合 SEMI M1.2 / IEC62276 規範
表面類型 SSP / DSP
拋光側凸 nm ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1
背面標準 μm 0.2-0.7 或客製化

應用

半導體加工

石英晶圓被廣泛用作擴散、沉積和蝕刻等高溫環境中的載體晶圓和製程元件。其熱穩定性可確保在重複的高溫環境中保持穩定的性能。

ermal週期。.

MEMS 與感測器

在 MEMS 製造中,石英晶圓為微結構和感測器提供穩定的基板。

g 在機械和熱應力條件下。.

光學與光子學

石英圓具有優異的紫外線和紅外線穿透性,是理想的應用材料:

  • 光學窗
  • 雷射元件
  • 塗層基板
  • 精密光學元件

工業與實驗室用途

石英晶片也可應用於:

  • 等離子室和真空系統
  • 化學與生物醫學分析
  • 高溫樣品載具

製造過程

石英晶圓透過受控製程生產,以確保純度和精確度:

  1. 選擇高純度 SiO₂ 原料
  2. 熔融溫度約為 2000°C
  3. 受控冷卻形成固體石英塊
  4. 使用線鋸進行精密切片
  5. 研磨和拋光(單面或雙面)
  6. 在無塵室條件下進行清潔和檢測

客製化選項

我們根據應用需求提供彈性的客製化服務:

  • 直徑:2″-12″(可自訂尺寸)
  • 厚度:0.1-6 mm
  • 表面處理:SSP / DSP
  • 邊緣類型:凹槽 / 平面 / 圓角
  • 額外處理:
    • 雷射鑽孔
    • 圖案
    • 光學鍍膜

常見問題

什麼是石英晶片?
石英晶圓是一種高純度 SiO₂ 基板,用於需要熱穩定性和耐化學性質的半導體、MEMS 和光學應用。.

石英晶圓能否承受高溫?
是的,它們可以在 1000°C 以上的溫度下連續工作而不會變形。.

石英比標準玻璃好在哪裡?
石英具有更高的純度、優異的耐熱性和更佳的光學穿透性,因此適用於先進的工業應用。.

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搶先評價 “SiO₂ Quartz Wafers 2″ 3″ 4″ 6″ 8″ 12″ for MEMS, Semiconductor & Optical Applications”

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