Substrato de safira através de vidro via TGV para MEMS, sensores e embalagens de semicondutores avançados

Os substratos Sapphire TGV representam a próxima geração de tecnologia de interligação avançada, combinando as excepcionais propriedades materiais da safira com técnicas de microfabricação de ponta. Proporcionam uma plataforma fiável para sistemas electrónicos e fotónicos de alta frequência, alta densidade e alto desempenho. Com uma excelente flexibilidade de personalização, as soluções de safira TGV são ideais para aplicações de semicondutores e sensores da próxima geração.

Substrato de safira através de vidro via TGV para MEMS, sensores e embalagens de semicondutores avançadosO substrato Sapphire Through Glass Via (TGV) é um interpositor microfabricado de alta precisão concebido para o embalamento avançado de semicondutores, dispositivos MEMS e integração de sensores. Construído com base em Safira (cristal único de Al₂O₃) esta tecnologia permite interconexões eléctricas verticais através de materiais ultra-duros, opticamente transparentes e quimicamente estáveis.

Em comparação com os interpositores tradicionais de silício ou vidro, os substratos TGV à base de safira oferecem uma resistência mecânica superior, uma maior estabilidade térmica e uma maior fiabilidade em ambientes agressivos. Estas vantagens tornam-nos particularmente adequados para aplicações de alta frequência, alta densidade e alta fiabilidade, tais como dispositivos de RF, sensores ópticos e arquitecturas de embalagem avançadas (integração 2,5D/3D).


Principais caraterísticas e vantagens

1. Interconexão vertical de alta densidade

A tecnologia TGV permite percursos eléctricos verticais compactos e eficientes através de substratos de safira, suportando a integração de alta densidade exigida em embalagens modernas de semicondutores e dispositivos miniaturizados.

2. Resistência mecânica superior

A elevada dureza da safira (Mohs 9) garante uma excelente integridade estrutural, tornando o substrato resistente a fissuras, deformações e danos mecânicos durante o processamento e o funcionamento.

3. Excelente desempenho de alta frequência

Com baixa perda dieléctrica, capacitância parasita mínima e indutância reduzida, os substratos de safira TGV são ideais para aplicações de RF, 5G e transmissão de sinal de alta velocidade.

4. Excelente estabilidade térmica

A safira mantém um excelente desempenho sob temperaturas extremas, o que a torna adequada para ambientes de alta potência e termicamente exigentes.

5. Resistência química e hermeticidade

O material é altamente resistente a ácidos, álcalis e ambientes corrosivos. As estruturas TGV também podem alcançar um excelente desempenho de vedação hermética, garantindo fiabilidade a longo prazo.

6. Transparência ótica

Ao contrário dos interpositores de silício, os substratos de safira oferecem transparência ótica nas gamas UV-IR, permitindo a integração com sensores ópticos, fotónica e sistemas de imagem.


Especificações técnicas

Parâmetro Especificação
Nome do produto Substrato Sapphire TGV
Material Safira monocristalina (Al₂O₃)
Tamanho da pastilha Até 300 mm
Tamanho do painel Até 515 × 515 mm
Espessura 0,1 - 0,7 mm (personalizável)
Mín. Espessura 0,3 mm
Diâmetro da Via (OD) 25 - 100 μm
Min. Passo ~2 × diâmetro da via
Via Tipo Através / Cego
Via Shape Reto
Relação de aspeto Até 1:5
Via Material Tungsténio (W) / Silício (Si)
Hermeticidade ≤ 1×10-⁹ Pa-m³/s
Tolerância ±20 μm (por bolacha de 200 mm)

Substrato de safira através de vidro via TGV para MEMS, sensores e embalagens de semicondutores avançadosProcesso de fabrico

Os substratos de safira TGV são fabricados utilizando modificação induzida por laser combinada com gravura química:

  1. Estruturação a laser - Um laser de precisão modifica a estrutura interna da safira em regiões de via predefinidas
  2. Gravura selectiva - As regiões modificadas são gravadas a taxas mais rápidas, formando vias limpas e de elevado rácio de aspeto
  3. Metalização - As vias são preenchidas com materiais condutores, como o tungsténio ou o silício
  4. Processos opcionais - Incluindo a formação de cavidades, saliências e metalização de superfícies

Este processo garante:

  • Formação de vias sem fissuras
  • Elevada precisão dimensional
  • Paredes laterais lisas
  • Compatibilidade com designs de alta densidade

Aplicações

Embalagem de semicondutores

  • Interpositores 2,5D / 3D
  • Empacotamento em escala de pastilha ao nível da bolacha (WL-CSP)
  • Interligações de alta densidade

MEMS e sensores

  • Sensores de pressão
  • Sensores ópticos
  • Dispositivos microfluídicos

Dispositivos RF e 5G

  • Módulos de alta frequência
  • Sistemas de transmissão de sinais de baixa perda

Fotónica e integração ótica

  • Interpositores ópticos
  • Sistemas de imagiologia
  • Embalagem transparente para sensores

Computação de alto desempenho e IoT

  • Transmissão de dados de alta largura de banda
  • Integração compacta e de alta densidade

Capacidades de personalização

Substrato de safira através de vidro via TGV para MEMS, sensores e embalagens de semicondutores avançados

Fornecemos soluções de safira TGV totalmente personalizáveis adaptados aos requisitos da sua aplicação:

  • Através da otimização do diâmetro, do passo e da densidade
  • Personalização ao nível da bolacha ou do painel
  • Através ou às cegas através da conceção
  • Metalização (W, Cu, ou materiais personalizados)
  • Acabamento e polimento de superfícies
  • Integração com processos de ligação (por exemplo, ligação anódica)
  • Controlo de tolerância de alta precisão

FAQ

Q1: Qual é a vantagem do TGV de safira em relação ao TGV de vidro ou silício?
A1: A safira oferece maior resistência mecânica, melhor estabilidade térmica e transparência ótica, o que a torna mais adequada para ambientes agressivos e aplicações ópticas integradas.

P2: O tamanho e o passo da via podem ser personalizados?
A2: Sim. O diâmetro da via, o passo e a disposição podem ser totalmente personalizados de acordo com os requisitos do seu projeto.

Q3: A safira TGV é adequada para aplicações de alta frequência?
A3: Sem dúvida. A sua baixa perda dieléctrica e excelentes propriedades eléctricas tornam-no ideal para RF, 5G e sistemas de transmissão de sinais de alta velocidade.

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