TFLN / TFLT 在 SiPh 平台上用於高速光學調製器和混合光子學

TFLN (Thin-Film Lithium Niobate) 和 TFLT (Thin-Film Lithium Tantalate) on Silicon Photonics (SiPh) 代表一種先進的異質整合平台,其開發目的在於克服光子系統中矽所固有的物理限制。.

產品總覽

TFLN (Thin-Film Lithium Niobate) 和 TFLT (Thin-Film Lithium Tantalate) on Silicon Photonics (SiPh) 代表一種先進的異質整合平台,其開發目的在於克服光子系統中矽所固有的物理限制。.

矽光子技術提供卓越的LiNbO ₃和 LiTaO ₃可擴充性和 CMOS 兼容性極佳,但缺乏強大的線性電光 (Pockels) 效應,且具有相對較高的損耗和有限的調變線性度。為解決這些限制,薄膜 LiNbO₃ 和 LiTaO₃ 透過晶圓接合或混合整合技術被導入 SiPh 平台。.

此解決方案能夠結合

  • 來自 TFLN/TFLT 的高速光電效能
  • 來自矽光子的大規模整合能力

它廣泛應用於下一代光學互連、相干通訊系統和微波光子學。.


核心材料定義

TFLN (铌酸锂薄膜)

铌酸锂薄膜具有很强的 Pockels 效应,可实现低插入损耗的超快速光调制。它是目前高速光調製器的業界標準。.

TFLT (薄膜鉭)

薄膜钽酸锂表现出类似的电光行为,但具有更好的热稳定性、更高的光损伤阈值和更好的晶圆级均匀性。它被認為是大功率和大規模應用的理想選擇。.


為什麼要將 TFLN / TFLT 與矽光電整合在一起?

由於以下原因,單靠矽是無法有效支援高效能調變的:

  • 無內在電光效應
  • 取決於等離子體分散效應,導致較高的光損耗
  • 先進調變格式的線性度有限

藉由將 TFLN/TFLT 整合至 SiPh 上,此平台可達成以下目標:

  • 調變頻寬超過 100 GHz,支援 800G 和 1.6T 系統
  • 較低的半波電壓 (Vπ),可降低功耗
  • 超低光傳播損耗
  • 從可見光到中紅外線的寬透明度視窗

整合方法

1.異質整合(鍵合法)

薄膜 LN 或 LT 被接合在預先製成的矽或氮化矽 (Si/SiN) 波導上。.

  • 透過瞬發場進行光學耦合
  • 與矽光子製造保持完全相容
  • 適用於大規模製造

2.LNOI / LTOI 波導方法

波導直接蝕刻在薄膜 LN 或 LT 層上。.

  • 單晶材料中的強光局限性
  • 最高的調變效率
  • 製程較複雜,與標準 SiPh 製程的相容性較低

典型結構 (建議放置圖片)

 

結構 1:混合波導 (SiPh + TFLN/TFLT)

  • Si 或 SiN 波導 (底層)
  • SiO₂ 結合層
  • 薄膜 LN/LT 層 (~300-600 奈米)
  • 頂部的 RF 電極

結構 2:山脊波導 (LNOI/LTOI)

  • LN/LT 薄膜
  • 埋入式氧化物 (BOX)
  • 矽基板


性能參數

參數 TFLN TFLT 注意事項
電光係數 (r33) ~31 pm/V ~30 pm/V 類似的調變效率
3-dB 頻寬 100-400 GHz+ 70-100 GHz+ 遠高於矽調變器 (~40 GHz)
Vπ-L 1.8-2.5 V-cm 2.0-3.5 V-cm 較低表示驅動電壓較低
光損失 <0.1 dB/cm <0.1 dB/cm 極低
折射率 ~2.1-2.2 ~2.1 高密閉能力
居里溫度 ~1140°C ~600°C 材料特性參考
光學損害臨界值 中度 非常高 TFLT 更適合高功率
直流漂移 引人注目 非常低 TFLT 具有優異的穩定性

主要優勢

高速調變能力

支援超過 100 GHz 的超高頻寬光學調變,實現新一代的資料傳輸速率。.

低功耗

與矽基調變器相比,降低半波電壓可降低驅動功率。.

優異的光學效能

低傳播損耗和高折射率可實現緊湊、高效的光子集成。.

熱穩定性和偏置穩定性 (TFLT 優勢)

TFLT 可提供更佳的抗熱變化能力,並將直流漂移降至最低,這對於長期系統穩定性至關重要。.

可擴充製造

以接合為基礎的整合保留了矽光子製程相容性,支援晶圓規模生產。.


應用場景

  • 資料中心光學互連 (400G / 800G / 1.6T)
  • 相干光通訊系統
  • 微波光子學和光纖上的 RF
  • 整合式光子電路 (PIC)
  • 高功率雷射調變系統
  • LiDAR 與感測平台

選擇指南

選擇 TFLN 時:

  • 需要最大的調變頻寬
  • 成熟的生態系統和供應鏈是首選
  • 目標應用包括相干光學與超高速傳輸

在下列情況下選擇 TFLT:

  • 偏壓穩定性和低直流漂移是關鍵
  • 需要高光功率處理
  • 長期可靠性與熱穩定性是優先考量

常見問題

1.與矽調變器相比,TFLN/TFLT 在 SiPh 上的主要優點是什麼?

其主要優勢在於存在強大的電光效應,相較於純矽調變器,可實現更高的頻寬、更低的損耗以及更低的功耗。.


2.evanescent 耦合在混合積分中是如何工作的?

光在矽波導中傳播,並部分延伸至薄膜 LN 或 LT 層。這種重疊的光場允許有效率的調變,而不會完全轉移光學模式。.


3.此平台是否適合大規模製造?

是的,以鍵合技術為基礎的異質整合可與標準矽光子製程相容,從而實現大批量且具成本效益的生產。.

商品評價

目前沒有評價。

搶先評價 “TFLN / TFLT on SiPh Platform for High-Speed Optical Modulators & Hybrid Photonics”

發佈留言必須填寫的電子郵件地址不會公開。 必填欄位標示為 *

購物車
滾動到頂端