Vékonyrétegű, szigetelőn elhelyezett lítium-niobát (LNOI) szilíciumlapka-platform integrált fotonika alkalmazásokhoz

A szigetelőn elhelyezett vékonyrétegű lítium-niobát (LNOI) szeletek speciálisan kialakított hordozók integrált fotonikus és elektro-optikai eszközökhöz.

A platform egy eltemetett oxid (SiO₂) rétegre rögzített, egykristályos lítium-niobát vékonyrétegből áll, amelyet egy szilícium- vagy szigetelő hordozólemezt használnak alátámasztásként.

Ez a szerkezet erős optikai bezárást, alacsony terjedési veszteséget és magas elektro-optikai hatékonyságot tesz lehetővé, így a modern integrált fotonika egyik legfontosabb anyagplatformjává teszi.

A szigetelőn elhelyezett vékonyrétegű lítium-niobát (LNOI) szeletek speciálisan kialakított hordozók integrált fotonikus és elektro-optikai eszközökhöz.

A platform egy eltemetett oxid (SiO₂) rétegre rögzített, egykristályos lítium-niobát vékonyrétegből áll, amelyet egy szilícium- vagy szigetelő hordozólemezt használnak alátámasztásként.

Ez a szerkezet erős optikai bezárást, alacsony terjedési veszteséget és magas elektro-optikai hatékonyságot tesz lehetővé, így a modern integrált fotonika egyik legfontosabb anyagplatformjává teszi.


A vékonyrétegű lítium-niobát (TFLN) koncepciója

A vékonyrétegű lítium-niobát (TFLN) egy mikronnál kisebb vastagságú LiNbO₃ kristályréteget jelöl, amelyet nagy szűkítésű optikai hullámvezetőkhöz és elektro-optikai modulációhoz terveztek.

A hagyományos lítium-niobáttal összehasonlítva a TFLN a következő előnyökkel rendelkezik:

  • Erősebb optikai térhatárolás
  • Magasabb modulációs hatékonyság
  • Kisebb helyigény
  • Kompatibilitás a szilícium-fotonikai integrációval

A TFLN-t LNOI-szilíciumlapkákra építik be, hogy lehetővé tegyék a szilíciumlapka-szintű fotonikus integrációt.


Oszlopos architektúra

Réteg Anyag Funkcionális szerep
Eszközréteg LiNbO₃ vékonyréteg (TFLN) Elektro-optikai moduláció, nemlineáris optika
Szigetelőréteg SiO₂ (beágyazott oxid) Optikai szigetelés és módkorlátozás
Fogantyúlemez Cínium / Kvarc / Zafír Mechanikai támogatás és folyamatkompatibilitás

Fő jellemzők

Rendkívül alacsony optikai terjedési veszteség < 0,05 dB/cm távközlési hullámhosszon (1550 nm)

Magas elektro-optikai együttható (r₃₃ akár 90 pm/V)

Mikron alatti hullámvezető-kompatibilitás a kompakt fotonikus integrációhoz

CMOS-kompatibilis integráció szilícium- és szilícium-nitrid-alapú platformokkal

Kiváló hőstabilitás, Curie-hőmérséklet ~1140 °C

Többféle kristályirány áll rendelkezésre: X-vágás, Y-vágás, Z-vágás

A szilíciumlapok mérete 3 hüvelyktől 8 hüvelykig skálázható


Műszaki specifikációk

Oszlop szintű paraméterek

Paraméter Specifikáció
A szelet átmérője 3″, 4″, 6″, 8″
Vastagság 525 ± 25 μm
Íj ±50 μm
Warp <50 μm
Helyi vastagságváltozás (LTV) <1,5 μm (5×5 mm², 95%)

Vékonyrétegű LiNbO₃ réteg

Paraméter Specifikáció
Anyag Egykristályos LiNbO₃
Vastagságtartomány 300 nm – 1000 nm
Iránymeghatározás pontossága ±0,5°
Felületi érdesség Ra < 1 nm
Hibakritériumok Nincs >1 mm-es üreg

Beágyazott oxidréteg

Paraméter Specifikáció
Anyag SiO₂
Vastagság 100 nm – 2 μm (testreszabható)
Egységesség ±5%

Gyártási technológia

Az LNOI-lemezeket félvezető-kompatibilis eljárásokkal állítják elő:

  • Ionbeültetés kristályrétegek kialakításához
  • Oszlopok rögzítése szigetelő hordozókra
  • Hőkezelés a kristályminőség helyreállítása érdekében
  • Kémiai-mechanikus polírozás (CMP) a felület kiegyenlítéséhez
  • Mérési módszereken alapuló ellenőrzés az optikai és szerkezeti minőségbiztosítás érdekében

Alkalmazási területek

Integrált optikai kommunikációs rendszerek, beleértve a 100G–800G-s adatátvitelhez szükséges nagy sebességű modulátorokat

Kvantumfotonikai rendszerek összefonódott fotonok előállításához és a kvantuminformáció-feldolgozáshoz

Mikrohullámú fotonika rádiófrekvenciás jelfeldolgozáshoz és milliméteres hullámhosszú fotonikus rendszerekhez

Nemlineáris optikai eszközök, beleértve a frekvenciakonverziót és az optikai frekvenciakomb generálását

Integrált optikai érzékelőrendszerek biokémiai és környezeti megfigyeléshez


Teljesítmény-összehasonlítás

Ingatlan LiNbO₃ ömlesztett formában LNOI vékonyréteg-platform
Optikai veszteség Magasabb <0,05 dB/cm
Az eszköz helyigénye Nagy mikron alatti méret
Integrációs képesség Korlátozott Nagy sűrűségű fotonikus integráció
CMOS-kompatibilitás Nem Igen
Modulációs hatékonyság Mérsékelt Magas (Vπ ~ 1 V elérhető)

Egyedi tervezési lehetőségek

A kristály orientációja X-, Y- és Z-vágású konfigurációk közül választható

A vékonyréteg vastagsága 300 nm és 1000 nm között van

Az optikai korlátozás hangolásához állítható az eltemetett oxidréteg vastagsága

Az alapanyagok között szerepel a szilícium, a kvarc és a zafír

Opcionális MgO-dopping az optikai károsodási küszöb javítása érdekében


Minőségbiztosítás és metrológia

Minden egyes szilíciumlapka szigorú, félvezetőipari szintű ellenőrzésen esik át:

Optikai veszteségmérés távközlési hullámhossz-sávokban

Atomikus erő mikroszkópia a felületi érdesség méréséhez

Infravörös vizsgálat a kötési felület épségének ellenőrzésére

A vastagság és az egyenletesség térképezése a teljes szilíciumlapon

A szilíciumlapka síkfelületének és feszültségeloszlásának elemzése


Mérnöki és gyártási kapacitás

ZMSH teljes körű LNOI-szilíciumlapka-tervezési megoldásokat kínál, beleértve az anyagtervezést, a szilíciumlapka-összekapcsolási eljárások fejlesztését, a fotonikus eszközök gyártásának támogatását, a nanogyártási eljárásokat (EBL, IBE) és az optikai jellemzési szolgáltatásokat.

A gyártási kapacitás mind a kutatási és fejlesztési célú prototípusgyártást, mind a kis- és közepes méretű sorozatgyártást támogatja, stabil 6 hüvelykes gyártási kapacitással és a 8 hüvelykes LNOI-platformok folyamatos fejlesztésével.


Gyakran ismételt kérdések

1. Mire használják a vékonyrétegű lítium-niobátot?
Alkalmazzák az integrált fotonikában, az optikai kommunikációban, a kvantumfotonikában és a nemlineáris optikai eszközökben.

2. Milyen vastagságúak általában a lítium-niobát vékonyrétegek?
A rétegvastagság az eszköz követelményeitől függően általában 300 nm és 1000 nm között mozog.

3. Milyen előnyei vannak az LNOI-nak a tömeges lítium-niobáttal szemben?
Az LNOI kisebb optikai veszteséget, nagyobb integrációs sűrűséget és a szilícium-fotonikai platformokkal való kompatibilitást tesz lehetővé.

4. Kompatibilis-e az LNOI a szilícium-fotonikával?
Igen, az LNOI integrálható szilícium- és szilícium-nitrid fotonikus platformokba.

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

„Thin-Film Lithium Niobate on Insulator (LNOI) Wafer Platform for Integrated Photonics” értékelése elsőként

Az e-mail címet nem tesszük közzé. A kötelező mezőket * karakterrel jelöltük

Bevásárlókosár
Görgessen a tetejére