Search for:

350um SiC wafer

Hiển thị tất cả 2 kết quả

Đọc tiếp
Tấm wafer cacbua silic (SiC) 6H-N 2 inch – Chất nền đơn tinh thể 350μm / 650μm
Đọc tiếp
Tấm wafer cacbua silic (SiC) HPSI 4 inch, độ dày 350μm, dùng cho kính AR và thiết bị điện tử công suất cao

Giỏ hàng

Tầng 1, Tòa nhà 3, Số 2850 Đường Lianxi, Thị trấn Jinze, Quận Qingpu, Thượng Hải, Trung Quốc
eric_fygx@foxmail.com
+86 15801942596

Lên đầu trang

Vietnamese

English

Korean

Japanese

German

French

Italian

Spanish

Dutch

Chinese

Portuguese

Polish

Czech

Hungarian

Swedish

Finnish

Thai

Turkish

Arabic

Russian

Tấm wafer cacbua silic (SiC) 6H-N 2 inch – Chất nền đơn tinh thể 350μm / 650μm