Ürüne Genel Bakış
JGS1 ve JGS2 kuvars gofretler, esas olarak silikon dioksitten (SiO₂) oluşan yüksek saflıkta erimiş silika substratlardır. Bu optik sınıf kuvars gofretler yarı iletken üretiminde, ultraviyole optik sistemlerde, lazer ekipmanlarında ve fiber optik iletişim cihazlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
JGS1 kuvars gofretler kimyasal buhar biriktirme işlemi kullanılarak üretilir. Bu üretim yöntemi, son derece düşük metalik safsızlık seviyeleri ve çok düşük hidroksil içeriği sağlayarak derin ultraviyole bölgesinde mükemmel iletim performansı sağlar.
JGS2 kuvars gofretler tipik olarak hidrojen oksijen alev füzyon prosesi kullanılarak üretilir. JGS1 ile karşılaştırıldığında, JGS2 daha yüksek hidroksil içeriği içerir, ancak daha uygun maliyetli bir üretim sürecini korurken ultraviyole ila yakın kızılötesi spektrum boyunca istikrarlı optik performans sağlar.
Kuvars gofretler 2 inçten 12 inçe kadar çaplarda mevcuttur ve kalınlığa, yüzey parlatma gereksinimlerine ve optik özelliklere göre özelleştirilebilir.
JGS1 ve JGS2 Kuvars Wafer Karşılaştırması
| Mülkiyet | JGS1 Kuvars | JGS2 Kuvars |
|---|---|---|
| Üretim Yöntemi | Kimyasal Buhar Biriktirme | Hidrojen Oksijen Alev Füzyonu |
| Optik İletim Aralığı | 185 nm ila 2500 nm | 220 nm ila 2500 nm |
| Geçirgenlik | 185 nm'de > yüzde 85 (10 mm kalınlık) | 220 nm'de > yüzde 80 (10 mm kalınlık) |
| Metalik Safsızlık İçeriği | Yaklaşık 0,1 ppm | Yaklaşık 1 ppm |
| Hidroksil İçeriği | 5 ppm'den az | 30 ila 50 ppm |
| İç Kusurlar | Çok az kabarcık ve çizgi | Olası küçük kabarcıklar veya granüler yapılar |
| Optik Homojenlik | Çok yüksek | İyi |
| Termal Kararlılık | İyi | Daha yüksek termal kararlılık |
Fiziksel ve Mekanik Özellikler
| Mülkiyet | Değer |
|---|---|
| Yoğunluk | 2,2 g/cm³ |
| Mohs Sertliği | 6-7 |
| Basınç Dayanımı | 1100 MPa |
| Çekme Dayanımı | 50 MPa |
| Bükülme Dayanımı | 65 MPa |
| Burulma Dayanımı | 30 MPa |
| Young Modülü | 7,5 × 10⁴ MPa |
| Poisson Oranı | 0.17 |
Elektriksel Özellikler
| Mülkiyet | Değer |
|---|---|
| Dielektrik Sabiti (10 GHz) | 3.74 |
| Kayıp Faktörü (10 GHz) | 0.0002 |
| Dielektrik Dayanım | 3,7 × 10⁷ V/m |
| 20°C'de Dirençlilik | 1 × 10²⁰ Ω-m |
| 1000°C'de Dirençlilik | 1 × 10⁸ Ω-m |
Termal Özellikler
| Mülkiyet | Değer |
|---|---|
| Gerilme Noktası | 1080°C |
| Tavlama Noktası | 1180°C |
| Yumuşama Noktası | 1630°C |
| Termal İletkenlik (20°C) | 1,4 W/m-K |
| Özgül Isı (20°C) | 670 J/kg-K |
| Termal Genleşme Katsayısı (30°C ila 600°C) | 5.5 × 10-⁷ /°C |
Tipik Uygulamalar
| Uygulama Alanı | Açıklama |
|---|---|
| Yarı İletken Litografi | Optik bileşenler ve yonga plakası işleme ekipmanları |
| Fiber Optik Haberleşme | Optik konektörler, optik pencereler, izolatör bileşenleri |
| UV Lazer Sistemleri | Excimer lazer pencereleri ve optik lensler |
| Endüstriyel UV İşleme | UV sterilizasyon ekipmanı ve yüksek basınçlı cıva lambaları |
| Optik Aletler | Lensler, prizmalar, aynalar ve optik alt tabakalar |
SSS
1 JGS1 ve JGS2 kuvars gofretler arasındaki fark?
JGS1 kuvars gofretler, son derece düşük metalik safsızlıklar ve hidroksil içeriği nedeniyle daha yüksek derin ultraviyole iletimi sağlar. JGS2 kuvars gofretler kararlı ultraviyole ile yakın kızılötesi performansı sunar ve genellikle standart optik uygulamalar için daha uygun maliyetlidir.
2 JGS1 kuvars gofretlerin tipik uygulamaları ?
JGS1 kuvars gofretler genellikle derin ultraviyole litografi sistemlerinde, excimer lazer optik bileşenlerinde ve yüksek hassasiyetli ultraviyole optik ekipmanlarda kullanılır.
3 JGS2 kuvars gofretlerin tipik uygulamaları ?
JGS2 kuvars gofretler fiber optik iletişim cihazlarında, ultraviyole işleme ekipmanlarında ve kararlı UV ila yakın kızılötesi iletim gerektiren genel optik bileşenlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Değerlendirmeler
Henüz değerlendirme yapılmadı.