Productoverzicht
JGS1 en JGS2 kwartswafers zijn zeer zuivere gesmolten silica substraten die voornamelijk bestaan uit siliciumdioxide (SiO₂). Deze kwartswafers van optische kwaliteit worden veel gebruikt bij de productie van halfgeleiders, ultraviolette optische systemen, laserapparatuur en glasvezelcommunicatieapparaten.
JGS1 kwartswafers worden geproduceerd met behulp van het chemische dampdepositieproces. Deze productiemethode zorgt voor extreem lage niveaus van metaalonzuiverheid en een zeer laag hydroxylgehalte, waardoor uitstekende transmissieprestaties in het diepe ultraviolette gebied mogelijk zijn.
JGS2-kwartsschijven worden meestal vervaardigd met behulp van het waterstof-zuurstof vlamfusieproces. Vergeleken met JGS1 bevat JGS2 een hoger hydroxylgehalte, maar biedt het stabiele optische prestaties in het ultraviolette tot nabij-infrarode spectrum, terwijl het productieproces kosteneffectiever blijft.
Kwartswafers zijn verkrijgbaar in diameters van 2 inch tot 12 inch en kunnen worden aangepast aan dikte, vereisten voor oppervlaktepolijsten en optische specificaties.
Vergelijking van JGS1 en JGS2 kwartswafers
| Eigendom | JGS1 Kwarts | JGS2 Kwarts |
|---|---|---|
| Productiemethode | Chemische dampdepositie | Waterstof Zuurstof Vlamfusie |
| Optisch transmissiebereik | 185 nm tot 2500 nm | 220 nm tot 2500 nm |
| Overbrenging | >85 procent bij 185 nm (10 mm dikte) | >80 procent bij 220 nm (10 mm dikte) |
| Gehalte aan metaalonzuiverheid | Ongeveer 0,1 ppm | Ongeveer 1 ppm |
| Hydroxylgehalte | Minder dan 5 ppm | 30 tot 50 ppm |
| Interne defecten | Zeer weinig bellen en strepen | Mogelijk kleine belletjes of korrelige structuren |
| Optische homogeniteit | Zeer hoog | Goed |
| Thermische stabiliteit | Goed | Hogere thermische stabiliteit |
Fysieke en mechanische eigenschappen
| Eigendom | Waarde |
|---|---|
| Dichtheid | 2,2 g/cm³ |
| Mohs hardheid | 6 tot 7 |
| Druksterkte | 1100 MPa |
| Treksterkte | 50 MPa |
| Buigsterkte | 65 MPa |
| Torsiesterkte | 30 MPa |
| Modulus van Young | 7,5 × 10⁴ MPa |
| Poissonverhouding | 0.17 |
Elektrische eigenschappen
| Eigendom | Waarde |
|---|---|
| Diëlektrische constante (10 GHz) | 3.74 |
| Verliesfactor (10 GHz) | 0.0002 |
| Diëlektrische sterkte | 3,7 × 10⁷ V/m |
| Weerstand bij 20°C | 1 × 10²⁰ Ω-m |
| Weerstand bij 1000°C | 1 × 10 Ω-m |
Thermische eigenschappen
| Eigendom | Waarde |
|---|---|
| Spanningspunt | 1080°C |
| Gloeipunt | 1180°C |
| Verzachtingspunt | 1630°C |
| Warmtegeleidingsvermogen (20°C) | 1,4 W/m-K |
| Soortelijke warmte (20°C) | 670 J/kg-K |
| Thermische uitzettingscoëfficiënt (30°C tot 600°C) | 5.5 × 10-⁷ /°C |
Typische toepassingen
| Toepassingsveld | Beschrijving |
|---|---|
| Lithografie voor halfgeleiders | Optische onderdelen en apparatuur voor waferverwerking |
| Glasvezelcommunicatie | Optische connectoren, optische vensters, isolatoronderdelen |
| UV-lasersystemen | Excimer laservensters en optische lenzen |
| Industriële UV-verwerking | UV-sterilisatieapparatuur en hogedrukkwiklampen |
| Optische instrumenten | Lenzen, prisma's, spiegels en optische substraten |
FAQ
1 Verschil tussen JGS1 en JGS2 kwartswafers ?
JGS1 kwartswafers bieden een hogere diepe ultraviolettransmissie vanwege het extreem lage gehalte aan metaalonzuiverheden en hydroxyl. JGS2 kwartswafers bieden stabiele ultraviolet- tot nabij-infraroodprestaties en zijn over het algemeen voordeliger voor standaard optische toepassingen.
2 Typische toepassingen van JGS1 kwartswafers ?
JGS1 kwartswafers worden vaak gebruikt in diepe ultraviolette lithografiesystemen, optische componenten voor excimerlasers en ultraviolette optische apparatuur met hoge precisie.
3 Typische toepassingen van JGS2 kwartswafers ?
JGS2 kwartswafers worden veel gebruikt in glasvezelcommunicatieapparaten, ultraviolette verwerkingsapparatuur en algemene optische componenten die een stabiele UV- tot nabij-infraroodtransmissie vereisen.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.