{"id":2883,"date":"2026-05-26T06:08:01","date_gmt":"2026-05-26T06:08:01","guid":{"rendered":"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/?post_type=product&#038;p=2883"},"modified":"2026-05-26T06:11:33","modified_gmt":"2026-05-26T06:11:33","slug":"thin-film-lithium-niobate-on-insulator-lnoi-wafer-platform-for-integrated-photonics","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/it\/product\/thin-film-lithium-niobate-on-insulator-lnoi-wafer-platform-for-integrated-photonics\/","title":{"rendered":"Piattaforma a wafer in niobato di litio a film sottile su isolante (LNOI) per la fotonica integrata"},"content":{"rendered":"<p data-start=\"603\" data-end=\"732\">I wafer a film sottile di niobato di litio su isolante (LNOI) sono substrati progettati appositamente per dispositivi fotonici ed elettro-ottici integrati.<\/p>\n<p data-start=\"734\" data-end=\"893\">La piattaforma \u00e8 costituita da un film sottile di niobato di litio monocristallino incollato su uno strato di ossido sepolto (SiO\u2082), supportato da un wafer di silicio o da un wafer isolante.<\/p>\n<p data-start=\"895\" data-end=\"1094\">Questa struttura consente un forte confinamento ottico, una ridotta perdita di propagazione e un'elevata efficienza elettro-ottica, rendendola una delle piattaforme materiali pi\u00f9 importanti per la fotonica integrata moderna.<\/p>\n<hr data-start=\"1096\" data-end=\"1099\" \/>\n<h1 data-section-id=\"z5lkn1\" data-start=\"1101\" data-end=\"1143\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2886 alignright\" src=\"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Thin-Film-Lithium-Niobate-on-Insulator-LNOI-Wafer-Platform-for-Integrated-Photonics-1-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Thin-Film-Lithium-Niobate-on-Insulator-LNOI-Wafer-Platform-for-Integrated-Photonics-1-300x300.png 300w, 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sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>Il concetto di niobato di litio a film sottile (TFLN)<\/h1>\n<p data-start=\"1145\" data-end=\"1304\">Il niobato di litio a film sottile (TFLN) \u00e8 uno strato cristallino di LiNbO\u2083 di spessore inferiore al micron, progettato per guide d'onda ottiche ad alto confinamento e per la modulazione elettro-ottica.<\/p>\n<p data-start=\"1306\" data-end=\"1356\">Rispetto al niobato di litio sfuso, il TFLN offre:<\/p>\n<ul data-start=\"1358\" data-end=\"1511\">\n<li data-section-id=\"6eo9fa\" data-start=\"1358\" data-end=\"1396\">Maggiore confinamento del campo ottico<\/li>\n<li data-section-id=\"maxe10\" data-start=\"1397\" data-end=\"1429\">Maggiore efficienza di modulazione<\/li>\n<li data-section-id=\"14izunr\" data-start=\"1430\" data-end=\"1458\">Ingombro ridotto del dispositivo<\/li>\n<li data-section-id=\"1xsbopo\" data-start=\"1459\" data-end=\"1511\">Compatibilit\u00e0 con l'integrazione della fotonica al silicio<\/li>\n<\/ul>\n<p data-start=\"1513\" data-end=\"1591\">La tecnologia TFLN viene implementata su wafer LNOI per consentire l'integrazione fotonica su scala di wafer.<\/p>\n<hr data-start=\"1593\" data-end=\"1596\" \/>\n<h1 data-section-id=\"ju4mac\" data-start=\"1598\" data-end=\"1618\">Architettura dei wafer<\/h1>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"1620\" data-end=\"1956\">\n<thead data-start=\"1620\" data-end=\"1658\">\n<tr data-start=\"1620\" data-end=\"1658\">\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"1620\" data-end=\"1628\" data-col-size=\"sm\">Livello<\/th>\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"1628\" data-end=\"1639\" data-col-size=\"sm\">Materiale<\/th>\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"1639\" data-end=\"1658\" data-col-size=\"md\">Ruolo funzionale<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"1696\" data-end=\"1956\">\n<tr data-start=\"1696\" data-end=\"1783\">\n<td data-start=\"1696\" data-end=\"1711\" data-col-size=\"sm\">Livello dispositivo<\/td>\n<td data-start=\"1711\" data-end=\"1737\" data-col-size=\"sm\">Film sottile di LiNbO\u2083 (TFLN)<\/td>\n<td data-col-size=\"md\" data-start=\"1737\" data-end=\"1783\">Modulazione elettro-ottica, ottica non lineare<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"1784\" data-end=\"1867\">\n<td data-start=\"1784\" data-end=\"1803\" data-col-size=\"sm\">Strato isolante<\/td>\n<td data-start=\"1803\" data-end=\"1825\" data-col-size=\"sm\">SiO\u2082 (ossido sepolto)<\/td>\n<td data-start=\"1825\" data-end=\"1867\" data-col-size=\"md\">Isolamento ottico e confinamento modale<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"1868\" data-end=\"1956\">\n<td data-start=\"1868\" data-end=\"1883\" data-col-size=\"sm\">Maniglia a wafer<\/td>\n<td data-start=\"1883\" data-end=\"1908\" data-col-size=\"sm\">Sapphira \/ Quarzo \/ Zaffiro<\/td>\n<td data-start=\"1908\" data-end=\"1956\" data-col-size=\"md\">Supporto meccanico e compatibilit\u00e0 di processo<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<hr data-start=\"1958\" data-end=\"1961\" \/>\n<h1 data-section-id=\"u0ybrq\" data-start=\"1963\" data-end=\"1977\"><img decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2884 alignright\" src=\"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Thin-Film-Lithium-Niobate-on-Insulator-LNOI-Wafer-Platform-for-Integrated-Photonics-3-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Thin-Film-Lithium-Niobate-on-Insulator-LNOI-Wafer-Platform-for-Integrated-Photonics-3-300x300.png 300w, https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Thin-Film-Lithium-Niobate-on-Insulator-LNOI-Wafer-Platform-for-Integrated-Photonics-3-150x150.png 150w, 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0,05 dB\/cm alla lunghezza d&#039;onda delle telecomunicazioni (1550 nm)<\/p>\n<p data-start=\"2060\" data-end=\"2110\">Elevato coefficiente elettro-ottico (r\u2083\u2083 fino a 90 pm\/V)<\/p>\n<p data-start=\"2112\" data-end=\"2179\">Compatibilit\u00e0 con guide d'onda submicroniche per l'integrazione fotonica compatta<\/p>\n<p data-start=\"2181\" data-end=\"2251\">Integrazione compatibile con CMOS con piattaforme in silicio e nitruro di silicio<\/p>\n<p data-start=\"2253\" data-end=\"2306\">Elevata stabilit\u00e0 termica con una temperatura di Curie di circa 1140 \u00b0C<\/p>\n<p data-start=\"2308\" data-end=\"2368\">Sono disponibili diversi orientamenti dei cristalli: taglio X, taglio Y, taglio Z<\/p>\n<p data-start=\"2370\" data-end=\"2412\">Dimensioni dei wafer scalabili da 3 a 8 pollici<\/p>\n<hr data-start=\"2414\" data-end=\"2417\" \/>\n<h1 data-section-id=\"zjxypn\" data-start=\"2419\" data-end=\"2445\">Specifiche tecniche<\/h1>\n<h2 data-section-id=\"14np8ub\" data-start=\"2447\" data-end=\"2472\">Parametri a livello di wafer<\/h2>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"2474\" data-end=\"2691\">\n<thead data-start=\"2474\" data-end=\"2503\">\n<tr data-start=\"2474\" data-end=\"2503\">\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"2474\" data-end=\"2486\" data-col-size=\"sm\">Parametro<\/th>\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"2486\" data-end=\"2503\" data-col-size=\"sm\">Specifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"2532\" data-end=\"2691\">\n<tr data-start=\"2532\" data-end=\"2567\">\n<td data-start=\"2532\" data-end=\"2549\" data-col-size=\"sm\">Diametro del wafer<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"2549\" data-end=\"2567\">3\", 4\", 6\", 8\"<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2568\" data-end=\"2595\">\n<td data-start=\"2568\" data-end=\"2580\" data-col-size=\"sm\">Spessore<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"2580\" data-end=\"2595\">525 \u00b1 25 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2596\" data-end=\"2612\">\n<td data-start=\"2596\" data-end=\"2602\" data-col-size=\"sm\">Arco<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"2602\" data-end=\"2612\">\u00b150 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2613\" data-end=\"2630\">\n<td data-start=\"2613\" data-end=\"2620\" data-col-size=\"sm\">Ordito<\/td>\n<td data-start=\"2620\" data-end=\"2630\" data-col-size=\"sm\">&lt;50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2631\" data-end=\"2691\">\n<td data-start=\"2631\" data-end=\"2665\" data-col-size=\"sm\">Variazione locale dello spessore (LTV)<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"2665\" data-end=\"2691\">&lt;1,5 \u03bcm (5\u00d75 mm\u00b2, 95%)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<hr data-start=\"2693\" data-end=\"2696\" \/>\n<h2 data-section-id=\"105h6ij\" data-start=\"2698\" data-end=\"2723\">Strato sottile di LiNbO\u2083<\/h2>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"2725\" data-end=\"2962\">\n<thead data-start=\"2725\" data-end=\"2754\">\n<tr data-start=\"2725\" data-end=\"2754\">\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"2725\" data-end=\"2737\" data-col-size=\"sm\">Parametro<\/th>\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"2737\" data-end=\"2754\" data-col-size=\"sm\">Specifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"2783\" data-end=\"2962\">\n<tr data-start=\"2783\" data-end=\"2819\">\n<td data-start=\"2783\" data-end=\"2794\" data-col-size=\"sm\">Materiale<\/td>\n<td data-start=\"2794\" data-end=\"2819\" data-col-size=\"sm\">LiNbO\u2083 monocristallino<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2820\" data-end=\"2858\">\n<td data-start=\"2820\" data-end=\"2838\" data-col-size=\"sm\">Intervallo di spessore<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"2838\" data-end=\"2858\">300 nm \u2013 1000 nm<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2859\" data-end=\"2891\">\n<td data-start=\"2859\" data-end=\"2882\" data-col-size=\"sm\">Precisione di orientamento<\/td>\n<td data-start=\"2882\" data-end=\"2891\" data-col-size=\"sm\">\u00b10,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2892\" data-end=\"2925\">\n<td data-start=\"2892\" data-end=\"2912\" data-col-size=\"sm\">Ruvidit\u00e0 della superficie<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"2912\" data-end=\"2925\">Ra &lt; 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"2926\" data-end=\"2962\">\n<td data-start=\"2926\" data-end=\"2944\" data-col-size=\"sm\">Criteri di difettosit\u00e0<\/td>\n<td data-start=\"2944\" data-end=\"2962\" data-col-size=\"sm\">Nessun vuoto &gt;1 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<hr data-start=\"2964\" data-end=\"2967\" \/>\n<h2 data-section-id=\"1xdkjas\" data-start=\"2969\" data-end=\"2990\">Strato di ossido sepolto<\/h2>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"2992\" data-end=\"3135\">\n<thead data-start=\"2992\" data-end=\"3021\">\n<tr data-start=\"2992\" data-end=\"3021\">\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"2992\" data-end=\"3004\" data-col-size=\"sm\">Parametro<\/th>\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"3004\" data-end=\"3021\" data-col-size=\"sm\">Specifiche<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"3050\" data-end=\"3135\">\n<tr data-start=\"3050\" data-end=\"3069\">\n<td data-start=\"3050\" data-end=\"3061\" data-col-size=\"sm\">Materiale<\/td>\n<td data-start=\"3061\" data-end=\"3069\" data-col-size=\"sm\">SiO\u2082<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3070\" data-end=\"3114\">\n<td data-start=\"3070\" data-end=\"3082\" data-col-size=\"sm\">Spessore<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"3082\" data-end=\"3114\">100 nm \u2013 2 \u03bcm (personalizzabile)<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"3115\" data-end=\"3135\">\n<td data-start=\"3115\" data-end=\"3128\" data-col-size=\"sm\">Uniformit\u00e0<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"3128\" data-end=\"3135\">\u00b15%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<hr data-start=\"3137\" data-end=\"3140\" \/>\n<h1 data-section-id=\"xsn2bk\" data-start=\"3142\" data-end=\"3166\">Tecnologia di produzione<\/h1>\n<p data-start=\"3168\" data-end=\"3236\">I wafer LNOI vengono prodotti utilizzando processi compatibili con i semiconduttori:<\/p>\n<ul data-start=\"3238\" data-end=\"3536\">\n<li data-section-id=\"13c0fvf\" data-start=\"3238\" data-end=\"3298\">Impianto ionico controllato per la definizione dello strato cristallino<\/li>\n<li data-section-id=\"1usb3eg\" data-start=\"3299\" data-end=\"3343\">Incollaggio di wafer su substrati isolanti<\/li>\n<li data-section-id=\"1qbyczh\" data-start=\"3344\" data-end=\"3394\">Riscaldamento termico per il ripristino della qualit\u00e0 dei cristalli<\/li>\n<li data-section-id=\"1erbdy1\" data-start=\"3395\" data-end=\"3460\">Lucidatura chimico-meccanica (CMP) per la planarizzazione delle superfici<\/li>\n<li data-section-id=\"qs885x\" data-start=\"3461\" data-end=\"3536\">Ispezione basata sulla metrologia per il controllo della qualit\u00e0 ottica e strutturale<\/li>\n<\/ul>\n<hr data-start=\"3538\" data-end=\"3541\" \/>\n<h1 data-section-id=\"1b9xnf1\" data-start=\"3543\" data-end=\"3563\">Campi di applicazione<\/h1>\n<p data-start=\"3565\" data-end=\"3667\">Sistemi di comunicazione ottica integrati che includono modulatori ad alta velocit\u00e0 per trasmissioni da 100G a 800G<\/p>\n<p data-start=\"3669\" data-end=\"3760\">Sistemi fotonici quantistici per la generazione di fotoni intrecciati e l'elaborazione dell'informazione quantistica<\/p>\n<p data-start=\"3762\" data-end=\"3843\">Fotonica a microonde per l'elaborazione dei segnali RF e sistemi fotonici a onde millimetriche<\/p>\n<p data-start=\"3845\" data-end=\"3939\">Dispositivi ottici non lineari, tra cui la conversione di frequenza e la generazione di pettini di frequenza ottici<\/p>\n<p data-start=\"3941\" data-end=\"4020\">Sistemi di rilevamento ottico integrati per il monitoraggio biochimico e ambientale<\/p>\n<hr data-start=\"4022\" data-end=\"4025\" \/>\n<h1 data-section-id=\"15xe5if\" data-start=\"4027\" data-end=\"4051\">Confronto delle prestazioni<\/h1>\n<div class=\"TyagGW_tableContainer\">\n<div class=\"group TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\">\n<table class=\"w-fit min-w-(--thread-content-width)\" data-start=\"4053\" data-end=\"4419\">\n<thead data-start=\"4053\" data-end=\"4105\">\n<tr data-start=\"4053\" data-end=\"4105\">\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"4053\" data-end=\"4064\" data-col-size=\"sm\">Propriet\u00e0<\/th>\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"4064\" data-end=\"4078\" data-col-size=\"sm\">LiNbO\u2083 sfuso<\/th>\n<th class=\"last:pe-10\" data-start=\"4078\" data-end=\"4105\" data-col-size=\"sm\">Piattaforma a film sottile LNOI<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody data-start=\"4160\" data-end=\"4419\">\n<tr data-start=\"4160\" data-end=\"4199\">\n<td data-start=\"4160\" data-end=\"4175\" data-col-size=\"sm\">Perdita ottica<\/td>\n<td data-start=\"4175\" data-end=\"4184\" data-col-size=\"sm\">Pi\u00f9 alto<\/td>\n<td data-start=\"4184\" data-end=\"4199\" data-col-size=\"sm\">&lt;0,05 dB\/cm<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4200\" data-end=\"4247\">\n<td data-start=\"4200\" data-end=\"4219\" data-col-size=\"sm\">Ingombro del dispositivo<\/td>\n<td data-start=\"4219\" data-end=\"4227\" data-col-size=\"sm\">Grande<\/td>\n<td data-start=\"4227\" data-end=\"4247\" data-col-size=\"sm\">Scala submicronica<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4248\" data-end=\"4320\">\n<td data-start=\"4248\" data-end=\"4273\" data-col-size=\"sm\">Capacit\u00e0 di integrazione<\/td>\n<td data-start=\"4273\" data-end=\"4283\" data-col-size=\"sm\">Limitato<\/td>\n<td data-start=\"4283\" data-end=\"4320\" data-col-size=\"sm\">Integrazione fotonica ad alta densit\u00e0<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4321\" data-end=\"4354\">\n<td data-start=\"4321\" data-end=\"4342\" data-col-size=\"sm\">Compatibilit\u00e0 CMOS<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"4342\" data-end=\"4347\">No<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"4347\" data-end=\"4354\">S\u00ec<\/td>\n<\/tr>\n<tr data-start=\"4355\" data-end=\"4419\">\n<td data-start=\"4355\" data-end=\"4379\" data-col-size=\"sm\">Efficienza di modulazione<\/td>\n<td data-start=\"4379\" data-end=\"4390\" data-col-size=\"sm\">Moderato<\/td>\n<td data-col-size=\"sm\" data-start=\"4390\" data-end=\"4419\">Elevata (\u00e8 possibile raggiungere V\u03c0 ~ 1 V)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<hr data-start=\"4421\" data-end=\"4424\" \/>\n<h1 data-section-id=\"1ki9ggs\" data-start=\"4426\" data-end=\"4454\">Opzioni di progettazione personalizzate<\/h1>\n<p data-start=\"4456\" data-end=\"4531\">Orientamento del cristallo selezionabile tra le configurazioni X-cut, Y-cut e Z-cut<\/p>\n<p data-start=\"4533\" data-end=\"4590\">Spessore del film sottile compreso tra 300 nm e 1000 nm<\/p>\n<p data-start=\"4592\" data-end=\"4656\">Spessore dell'ossido sepolto regolabile per la regolazione del confinamento ottico<\/p>\n<p data-start=\"4658\" data-end=\"4713\">Le opzioni di substrato includono silicio, quarzo e zaffiro<\/p>\n<p data-start=\"4715\" data-end=\"4772\">Doping opzionale con MgO per migliorare la soglia di danneggiamento ottico<\/p>\n<hr data-start=\"4774\" data-end=\"4777\" \/>\n<h1 data-section-id=\"138iuoj\" data-start=\"4779\" data-end=\"4812\"><img decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2885 alignright\" src=\"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Thin-Film-Lithium-Niobate-on-Insulator-LNOI-Wafer-Platform-for-Integrated-Photonics-2-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" 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data-end=\"5090\">Mappatura dello spessore e dell'uniformit\u00e0 su tutto il wafer<\/p>\n<p data-start=\"5092\" data-end=\"5139\">Analisi della planarit\u00e0 dei wafer e della distribuzione delle sollecitazioni<\/p>\n<hr data-start=\"5141\" data-end=\"5144\" \/>\n<h1 data-section-id=\"1791hl0\" data-start=\"5146\" data-end=\"5188\">Competenze ingegneristiche e produttive<\/h1>\n<p data-start=\"5190\" data-end=\"5457\"><span class=\"hover:entity-accent entity-underline inline cursor-pointer align-baseline\"><span class=\"whitespace-normal\">ZMSH<\/span><\/span> fornisce soluzioni ingegneristiche complete per wafer LNOI, tra cui la progettazione dei materiali, lo sviluppo dei processi di incollaggio dei wafer, il supporto alla fabbricazione di dispositivi fotonici, i processi di nanofabbricazione (EBL, IBE) e i servizi di caratterizzazione ottica.<\/p>\n<p data-start=\"5459\" data-end=\"5641\">La capacit\u00e0 produttiva consente sia la realizzazione di prototipi su scala di ricerca e sviluppo sia la produzione di lotti di piccole e medie dimensioni, con una produzione stabile su substrati da 6 pollici e lo sviluppo in corso di piattaforme LNOI da 8 pollici.<\/p>\n<hr data-start=\"5643\" data-end=\"5646\" \/>\n<h1 data-section-id=\"hkd5a4\" data-start=\"5648\" data-end=\"5676\">Domande frequenti<\/h1>\n<p data-start=\"5678\" data-end=\"5831\">1. A cosa serve il niobato di litio a film sottile?<br data-start=\"5720\" data-end=\"5723\" \/>Trova impiego nella fotonica integrata, nelle comunicazioni ottiche, nella fotonica quantistica e nei dispositivi ottici non lineari.<\/p>\n<p data-start=\"5833\" data-end=\"5990\">2. Qual \u00e8 lo spessore tipico del film sottile di niobato di litio?<br data-start=\"5895\" data-end=\"5898\" \/>Lo spessore del film varia in genere da 300 nm a 1000 nm, a seconda delle specifiche del dispositivo.<\/p>\n<p data-start=\"5992\" data-end=\"6164\">3. Quali sono i vantaggi del LNOI rispetto al niobato di litio sfuso?<br data-start=\"6049\" data-end=\"6052\" \/>La tecnologia LNOI consente di ridurre le perdite ottiche, aumentare la densit\u00e0 di integrazione e garantire la compatibilit\u00e0 con le piattaforme di fotonica al silicio.<\/p>\n<p data-start=\"6166\" data-end=\"6290\">4. La tecnologia LNOI \u00e8 compatibile con la fotonica al silicio?<br data-start=\"6207\" data-end=\"6210\" \/>S\u00ec, la tecnologia LNOI pu\u00f2 essere integrata con piattaforme fotoniche in silicio e nitruro di silicio.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p data-start=\"603\" data-end=\"732\">I wafer a film sottile di niobato di litio su isolante (LNOI) sono substrati progettati appositamente per dispositivi fotonici ed elettro-ottici integrati.<\/p>\n<p data-start=\"734\" data-end=\"893\">La piattaforma \u00e8 costituita da un film sottile di niobato di litio monocristallino incollato su uno strato di ossido sepolto (SiO\u2082), supportato da un wafer di silicio o da un wafer isolante.<\/p>\n<p data-start=\"895\" data-end=\"1094\">Questa struttura consente un forte confinamento ottico, una ridotta perdita di propagazione e un'elevata efficienza elettro-ottica, rendendola una delle piattaforme materiali pi\u00f9 importanti per la fotonica integrata moderna.<\/p>","protected":false},"featured_media":2887,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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