Panoramica del prodotto
I wafer di quarzo JGS1 e JGS2 sono substrati di silice fusa di elevata purezza composti principalmente da biossido di silicio (SiO₂). Questi wafer di quarzo di grado ottico sono ampiamente utilizzati nella produzione di semiconduttori, nei sistemi ottici ultravioletti, nelle apparecchiature laser e nei dispositivi di comunicazione a fibra ottica.
I wafer di quarzo JGS1 sono prodotti con il processo di deposizione chimica da vapore. Questo metodo di produzione offre livelli di impurità metalliche estremamente bassi e un contenuto di idrossile molto ridotto, consentendo eccellenti prestazioni di trasmissione nella regione dell'ultravioletto profondo.
I wafer di quarzo JGS2 sono generalmente prodotti con il processo di fusione alla fiamma di idrogeno e ossigeno. Rispetto al JGS1, il JGS2 contiene un contenuto di idrossili più elevato, ma offre prestazioni ottiche stabili nello spettro dall'ultravioletto al vicino infrarosso, mantenendo un processo di produzione più economico.
I wafer di quarzo sono disponibili in diametri da 2 a 12 pollici e possono essere personalizzati in base allo spessore, ai requisiti di lucidatura superficiale e alle specifiche ottiche.
Confronto tra i wafer di quarzo JGS1 e JGS2
| Proprietà | JGS1 Quarzo | Quarzo JGS2 |
|---|---|---|
| Metodo di produzione | Deposizione chimica da vapore | Fusione di fiamme di idrogeno e ossigeno |
| Gamma di trasmissione ottica | Da 185 nm a 2500 nm | Da 220 a 2500 nm |
| Trasmittanza | >85% a 185 nm (spessore 10 mm) | >80% a 220 nm (spessore 10 mm) |
| Contenuto di impurità metalliche | Circa 0,1 ppm | Circa 1 ppm |
| Contenuto idrossilico | Meno di 5 ppm | Da 30 a 50 ppm |
| Difetti interni | Pochissime bolle e striature | Possibili piccole bolle o strutture granulari |
| Omogeneità ottica | Molto alto | Buono |
| Stabilità termica | Buono | Maggiore stabilità termica |
Proprietà fisiche e meccaniche
| Proprietà | Valore |
|---|---|
| Densità | 2,2 g/cm³ |
| Durezza Mohs | Da 6 a 7 |
| Resistenza alla compressione | 1100 MPa |
| Resistenza alla trazione | 50 MPa |
| Resistenza alla flessione | 65 MPa |
| Resistenza torsionale | 30 MPa |
| Modulo di Young | 7,5 × 10⁴ MPa |
| Rapporto di Poisson | 0.17 |
Proprietà elettriche
| Proprietà | Valore |
|---|---|
| Costante dielettrica (10 GHz) | 3.74 |
| Fattore di perdita (10 GHz) | 0.0002 |
| Rigidità dielettrica | 3,7 × 10⁷ V/m |
| Resistività a 20°C | 1 × 10²⁰ Ω-m |
| Resistività a 1000°C | 1 × 10⁸ Ω-m |
Proprietà termiche
| Proprietà | Valore |
|---|---|
| Punto di deformazione | 1080°C |
| Punto di ricottura | 1180°C |
| Punto di addolcimento | 1630°C |
| Conduttività termica (20°C) | 1,4 W/m-K |
| Calore specifico (20°C) | 670 J/kg-K |
| Coefficiente di espansione termica (da 30°C a 600°C) | 5.5 × 10-⁷ /°C |
Applicazioni tipiche
| Campo di applicazione | Descrizione |
|---|---|
| Litografia dei semiconduttori | Componenti ottici e apparecchiature per il trattamento dei wafer |
| Comunicazione in fibra ottica | Connettori ottici, finestre ottiche, componenti di isolamento |
| Sistemi laser UV | Finestre e lenti ottiche per laser a eccimeri |
| Trattamento UV industriale | Apparecchiature di sterilizzazione UV e lampade a mercurio ad alta pressione |
| Strumenti ottici | Lenti, prismi, specchi e substrati ottici |
FAQ
1 Differenza tra i wafer di quarzo JGS1 e JGS2?
I wafer di quarzo JGS1 offrono una maggiore trasmissione nell'ultravioletto profondo grazie al bassissimo contenuto di impurità metalliche e idrossile. I wafer di quarzo JGS2 offrono prestazioni stabili dall'ultravioletto al vicino infrarosso e sono generalmente più convenienti per le applicazioni ottiche standard.
2 Applicazioni tipiche dei wafer di quarzo JGS1 ?
I wafer di quarzo JGS1 sono comunemente utilizzati nei sistemi di litografia ultravioletta profonda, nei componenti ottici dei laser a eccimeri e nelle apparecchiature ottiche ultraviolette di alta precisione.
3 Applicazioni tipiche dei wafer di quarzo JGS2 ?
I wafer di quarzo JGS2 sono ampiamente utilizzati nei dispositivi di comunicazione a fibre ottiche, nelle apparecchiature di elaborazione a raggi ultravioletti e nei componenti ottici in generale che richiedono una trasmissione stabile dai raggi UV al vicino infrarosso.
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