{"id":2988,"date":"2026-06-02T05:53:16","date_gmt":"2026-06-02T05:53:16","guid":{"rendered":"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/?post_type=product&p=2988"},"modified":"2026-06-02T05:53:20","modified_gmt":"2026-06-02T05:53:20","slug":"sapphire-temporary-wafer-carrier-for-advanced-semiconductor-packaging","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.fuyao-quartz.com\/fr\/product\/sapphire-temporary-wafer-carrier-for-advanced-semiconductor-packaging\/","title":{"rendered":"Support de plaquettes temporaire en saphir pour l'assemblage avanc\u00e9 de semi-conducteurs"},"content":{"rendered":"

Le support de plaquette temporaire en saphir est un substrat de haute technologie con\u00e7u pour le traitement de plaquettes ultra-minces dans le cadre de l'encapsulation de semi-conducteurs de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration. Il est largement utilis\u00e9 dans l'int\u00e9gration de circuits int\u00e9gr\u00e9s 2,5D\/3D, les TSV, le RDL, l'encapsulation en fan-out et d'autres processus de fin de cha\u00eene avanc\u00e9s n\u00e9cessitant un support temporaire pour les plaquettes.<\/p>\n

Ce produit offre une plateforme \u00e0 haute rigidit\u00e9, ultraplate et thermiquement stable, destin\u00e9e aux processus d'amincissement de plaquettes et d'assemblage\/d\u00e9sassemblage temporaire. Il a \u00e9t\u00e9 sp\u00e9cialement con\u00e7u pour rem\u00e9dier au gauchissement, \u00e0 l'accumulation de contraintes et \u00e0 l'instabilit\u00e9 m\u00e9canique des plaquettes ultra-minces de moins de 50 \u03bcm.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

\"\"Les d\u00e9fis du secteur<\/strong><\/span><\/h2>\n

\u00c0 mesure que les techniques d'encapsulation de pointe \u00e9voluent vers des structures toujours plus denses et plus fines, l'instabilit\u00e9 des proc\u00e9d\u00e9s est devenue un obstacle majeur.<\/p>\n

Parmi les principaux d\u00e9fis, on peut citer :<\/p>\n

    \n
  • Incompatibilit\u00e9 CTE entre la plaquette, le substrat, l'interposeur, le mat\u00e9riau de remplissage et les compos\u00e9s de moulage<\/li>\n
  • Accumulation de contraintes lors de cycles thermiques r\u00e9p\u00e9t\u00e9s<\/li>\n
  • Retrait de l'adh\u00e9sif lors du durcissement et d\u00e9formation du mat\u00e9riau<\/li>\n
  • Structure d'empilement asym\u00e9trique dans le conditionnement de plaquettes ultra-minces<\/li>\n
  • La d\u00e9formation des plaquettes entra\u00eene des \u00e9carts d'alignement et une baisse du rendement<\/li>\n
  • Fragilit\u00e9 m\u00e9canique des plaquettes ultra-minces lors de leur manipulation et de leur transfert<\/li>\n<\/ul>\n

    Ces facteurs ont une incidence consid\u00e9rable sur le rendement des processus, la fiabilit\u00e9 des dispositifs et l'efficacit\u00e9 de la production.<\/p>\n

    \n

    \"\"Solution mat\u00e9rielle<\/strong><\/span><\/h2>\n

    Le saphir offre une combinaison unique de rigidit\u00e9 m\u00e9canique, de transparence optique et de stabilit\u00e9 thermique, ce qui en fait un mat\u00e9riau id\u00e9al pour les applications de supports de plaquettes temporaires.<\/p>\n

    Il pr\u00e9voit :<\/p>\n

      \n
    • Support m\u00e9canique stable pour plaquettes ultra-minces<\/li>\n
    • Faible d\u00e9formation sous contrainte thermique et m\u00e9canique<\/li>\n
    • Compatibilit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e avec les proc\u00e9d\u00e9s de d\u00e9collement au laser<\/li>\n
    • R\u00e9partition uniforme des contraintes sur des substrats de grande surface<\/li>\n
    • Excellente r\u00e9sistance \u00e0 une utilisation industrielle intensive<\/li>\n<\/ul>\n
      \n

      Principaux avantages en termes de performances<\/strong><\/span><\/h2>\n

      Rigidit\u00e9 extr\u00eamement \u00e9lev\u00e9e (module d'Young : 345\u2013420 GPa)<\/strong>
      R\u00e9duit efficacement la flexion et le gauchissement des plaquettes lors des cycles thermiques et des traitements m\u00e9caniques.<\/p>\n

      Haute r\u00e9sistance m\u00e9canique (duret\u00e9 Vickers : 1 800\u20132 200 HV)<\/strong>
      Offre une grande r\u00e9sistance aux dommages superficiels et garantit une longue dur\u00e9e de vie dans des conditions de traitement r\u00e9p\u00e9t\u00e9es.<\/p>\n

      Haute transmittance optique (>83%, 300\u20131 200 nm)<\/strong>
      Permet une transmission laser efficace pour les processus de d\u00e9collement et offre une compatibilit\u00e9 avec diverses technologies de collage provisoire.<\/p>\n

      Excellente homog\u00e9n\u00e9it\u00e9 du mat\u00e9riau<\/strong>
      Assure une r\u00e9partition homog\u00e8ne des contraintes sur les plaquettes et les panneaux de grand format, ce qui r\u00e9duit les d\u00e9formations localis\u00e9es.<\/p>\n

      Stabilit\u00e9 thermique et chimique<\/strong>
      Conserve son int\u00e9grit\u00e9 structurelle dans des conditions de traitement \u00e0 haute temp\u00e9rature et dans des environnements de nettoyage chimique.<\/p>\n

      \n

      Sp\u00e9cifications techniques<\/strong><\/span><\/h2>\n

      Dimensions des plaquettes et des panneaux<\/strong><\/span><\/h3>\n
      \n
      \n\n\n\n\n\n\n\n
      Param\u00e8tres<\/th>\nSp\u00e9cifications<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
      Taille de la plaquette<\/td>\n20 cm \/ 30 cm<\/td>\n<\/tr>\n
      Taille du panneau<\/td>\nde 100 \u00d7 100 mm \u00e0 510 \u00d7 515 mm<\/td>\n<\/tr>\n
      Plage d'\u00e9paisseurs<\/td>\n0,7 \u2013 2,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
      \n

      Qualit\u00e9 dimensionnelle et de surface<\/strong><\/span><\/h3>\n
      \n
      \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
      Propri\u00e9t\u00e9<\/th>\nQualit\u00e9 standard<\/th>\nGrade haute pr\u00e9cision<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
      Variation d'\u00e9paisseur totale (TTV)<\/td>\n\u2264 3 \u03bcm<\/td>\n\u2264 2 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
      Distorsion<\/td>\n\u2264 100 \u03bcm<\/td>\n\u2264 50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
      Tol\u00e9rance d'\u00e9paisseur<\/td>\n\u00b10,010 mm<\/td>\n\u00b10,005 mm<\/td>\n<\/tr>\n
      Rugosit\u00e9 de surface (Ra)<\/td>\n< 1,0 nm<\/td>\n< 1,0 nm<\/td>\n<\/tr>\n
      Gratter\/Creuser<\/td>\n60\/40<\/td>\n40\/20<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
      \n

      Propri\u00e9t\u00e9s des mat\u00e9riaux<\/strong><\/span><\/h3>\n
      \n
      \n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
      Propri\u00e9t\u00e9<\/th>\nValeur<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
      Module de Young<\/td>\n345 \u2013 420 GPa<\/td>\n<\/tr>\n
      Duret\u00e9 Vickers<\/td>\n1 800 \u2013 2 200 HV<\/td>\n<\/tr>\n
      Transmission optique<\/td>\n>83% (300\u20131 200 nm)<\/td>\n<\/tr>\n
      Densit\u00e9<\/td>\n3,98 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
      Conductivit\u00e9 thermique<\/td>\n30\u201340 W\/m\u00b7K<\/td>\n<\/tr>\n
      CTE (20 \u00b0C)<\/td>\n5,6 \u2013 7,7 \u00d7 10\u207b\u2076\/K<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
      \n

      \"\"Champ d'application<\/strong><\/span><\/h2>\n
        \n
      • Traitement de la face arri\u00e8re des plaquettes ultra-minces<\/li>\n
      • Int\u00e9gration h\u00e9t\u00e9rog\u00e8ne de circuits int\u00e9gr\u00e9s 2,5D \/ 3D<\/li>\n
      • Proc\u00e9d\u00e9s TSV (Through-Silicon Via)<\/li>\n
      • Fabrication de la couche de redistribution (RDL)<\/li>\n
      • Assemblage et d\u00e9sassemblage temporaires de plaquettes<\/li>\n
      • Emballage en panneau en \u00e9ventail (FOPLP)<\/li>\n
      • Amincissement avanc\u00e9 des plaquettes (structures < 50 \u03bcm)<\/li>\n<\/ul>\n
        \n

        Valeur technique<\/strong><\/span><\/h2>\n

        Le support de plaquettes temporaire en saphir permet aux fabricants de solutions d'encapsulation avanc\u00e9es d'atteindre :<\/p>\n

          \n
        • R\u00e9duction significative du gauchissement et de la d\u00e9formation des plaquettes<\/li>\n
        • Am\u00e9lioration de la pr\u00e9cision d'alignement dans les conditionnements \u00e0 pas fin<\/li>\n
        • Manipulation stable de plaquettes ultra-fines (< 50 \u03bcm)<\/li>\n
        • Une plus grande r\u00e9gularit\u00e9 des rendements dans les processus \u00e0 grande \u00e9chelle<\/li>\n
        • Am\u00e9lioration de la r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 des processus et de la stabilit\u00e9 du d\u00e9bit<\/li>\n
        • Compatibilit\u00e9 avec les plateformes d'int\u00e9gration h\u00e9t\u00e9rog\u00e8nes de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration<\/li>\n<\/ul>\n
          \n

          FAQ<\/strong><\/span><\/h2>\n

          Q1 : Pourquoi utilise-t-on le saphir pour les supports de plaquettes temporaires dans le domaine de l'emballage de pointe ?<\/strong>
          R : Le saphir offre une rigidit\u00e9, une duret\u00e9 et une stabilit\u00e9 thermique exceptionnelles, ce qui permet un contr\u00f4le optimal du gauchissement et une fiabilit\u00e9 m\u00e9canique sup\u00e9rieure lors du traitement des plaquettes ultra-minces.<\/p>\n

          Q2 : Le support en saphir permet-il le d\u00e9collage au laser ?<\/strong>
          R : Oui. Sa forte transmittance optique dans la gamme UV-IR moyen permet une p\u00e9n\u00e9tration efficace du laser, ce qui le rend adapt\u00e9 aux proc\u00e9d\u00e9s de d\u00e9collement assist\u00e9s par laser.<\/p>\n

          Q3 : Les supports en saphir peuvent-ils \u00eatre utilis\u00e9s pour des applications d'encapsulation au niveau du panneau ?<\/strong>
          R : Oui. Les supports en saphir permettent de r\u00e9aliser des formats de grande surface avec une excellente plan\u00e9it\u00e9 et une r\u00e9partition uniforme des contraintes, ce qui les rend adapt\u00e9s \u00e0 la technologie FOPLP et \u00e0 d'autres technologies d'encapsulation avanc\u00e9es au niveau du panneau.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

          Le support de plaquette temporaire en saphir est un substrat de haute technologie con\u00e7u pour le traitement de plaquettes ultra-minces dans le cadre de l'encapsulation de semi-conducteurs de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration. Il est largement utilis\u00e9 dans l'int\u00e9gration de circuits int\u00e9gr\u00e9s 2,5D\/3D, les TSV, le RDL, l'encapsulation en fan-out et d'autres processus de fin de cha\u00eene avanc\u00e9s n\u00e9cessitant un support temporaire pour les 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